MOCVDக்கான SiC கோடட் பிளேட் கேரியர்கள்

MOCVDக்கான எங்கள் SiC பூசப்பட்ட பிளேட் கேரியர்கள் அதிக தூய்மையைக் கொண்டுள்ளது, இது மிகவும் சீரான மற்றும் அதன் பண்புகளில் சீரான கேரியரைத் தேடுபவர்களுக்கு சிறந்த தேர்வாக அமைகிறது.
கிராஃபைட்டில் உயர்-தூய்மை சிலிக்கான் கார்பைடு பூச்சுடன் தயாரிக்கப்படும் எம்ஓசிவிடிக்கான எங்கள் SiC பூசப்பட்ட பிளேட் கேரியர்கள், இது 1600°C வரையிலான அதிக வெப்பநிலையில் ஆக்சிஜனேற்றத்தை அதிக அளவில் எதிர்க்கும். அதன் உற்பத்தியில் பயன்படுத்தப்படும் CVD இரசாயன நீராவி படிவு செயல்முறை அதிக தூய்மை மற்றும் சிறந்த அரிப்பு எதிர்ப்பை உறுதி செய்கிறது. இது மிகவும் அரிப்பை எதிர்க்கும், அடர்த்தியான மேற்பரப்பு மற்றும் நுண்ணிய துகள்களுடன், அமிலம், காரம், உப்பு மற்றும் கரிம வினைகளை எதிர்க்கும். அதன் உயர் வெப்பநிலை ஆக்சிஜனேற்ற எதிர்ப்பு 1600 டிகிரி செல்சியஸ் வரை அதிக வெப்பநிலையில் நிலைத்தன்மையை உறுதி செய்கிறது.

MOCVDக்கான SiC கோடட் பிளேட் கேரியர்களின் அளவுருக்கள்

MOCVDக்கான SiC பூசப்பட்ட கிராஃபைட் சஸ்பெப்டரின் அம்சங்கள்

- உரிக்கப்படுவதைத் தவிர்க்கவும் மற்றும் அனைத்து மேற்பரப்பிலும் பூச்சு இருப்பதை உறுதி செய்யவும்
உயர் வெப்பநிலை ஆக்சிஜனேற்ற எதிர்ப்பு: 1600 டிகிரி செல்சியஸ் வரை அதிக வெப்பநிலையில் நிலையானது
உயர் தூய்மை: உயர் வெப்பநிலை குளோரினேஷன் நிலைமைகளின் கீழ் CVD இரசாயன நீராவி படிவு மூலம் செய்யப்படுகிறது.
அரிப்பு எதிர்ப்பு: அதிக கடினத்தன்மை, அடர்த்தியான மேற்பரப்பு மற்றும் நுண்ணிய துகள்கள்.
அரிப்பு எதிர்ப்பு: அமிலம், காரம், உப்பு மற்றும் கரிம எதிர்வினைகள்.
- சிறந்த லேமினார் வாயு ஓட்டம் முறை அடைய
- வெப்ப சுயவிவரத்தின் சமநிலைக்கு உத்தரவாதம்
- ஏதேனும் மாசுபாடு அல்லது அசுத்தங்கள் பரவுவதைத் தடுக்கவும்