சீனா SiC வேஃபர் உற்பத்தியாளர்கள், சப்ளையர்கள், தொழிற்சாலை

செமிகண்டக்டர் பொருளின் ஒரு மெல்லிய துண்டு செதில் என்று அழைக்கப்படுகிறது, இது மிகவும் தூய ஒற்றை-படிகப் பொருளால் ஆனது. சோக்ரால்ஸ்கி செயல்முறையில், ஒரு உருளையிலிருந்து ஒரு விதை படிகத்தை இழுப்பதன் மூலம் மிகவும் தூய ஒற்றைப் படிகக் குறைக்கடத்தியின் உருளை இங்காட் செய்யப்படுகிறது.

சிலிக்கான் கார்பைடு (SiC) மற்றும் அதன் பலவகைகள் நீண்ட காலமாக மனித நாகரிகத்தின் ஒரு பகுதியாக இருந்து வருகிறது; இந்த கடினமான மற்றும் நிலையான கலவையின் தொழில்நுட்ப ஆர்வம் 1885 மற்றும் 1892 ஆம் ஆண்டுகளில் கவ்லெஸ் மற்றும் அச்செசன் ஆகியோரால் அரைக்கும் மற்றும் வெட்டு நோக்கங்களுக்காக உணரப்பட்டது, இது பெரிய அளவில் அதன் உற்பத்திக்கு வழிவகுத்தது.

சிறந்த இயற்பியல் மற்றும் வேதியியல் பண்புகள் சிலிக்கான் கார்பைடை (SiC) உயர் வெப்பநிலை, உயர் சக்தி மற்றும் உயர் அதிர்வெண் மற்றும் ஒளியியல் சாதனங்கள், இணைவு உலைகளின் கட்டமைப்பு கூறு, வாயு-குளிரூட்டலுக்கான உறைப்பூச்சுப் பொருள் உள்ளிட்ட பல்வேறு பயன்பாடுகளுக்கான முக்கிய வேட்பாளராக ஆக்குகின்றன. பிளவு உலைகள், மற்றும் Pu மாற்றத்திற்கான ஒரு மந்த அணி. 3C, 6H மற்றும் 4H போன்ற SiC இன் பல்வேறு பாலி-வகைகள் பரவலாகப் பயன்படுத்தப்படுகின்றன. அயன் உள்வைப்பு என்பது, பி-வகை மற்றும் n-வகை SiC செதில்களை உருவாக்க, Si- அடிப்படையிலான சாதனங்களின் உற்பத்திக்கான டோபண்டுகளைத் தேர்ந்தெடுத்து அறிமுகப்படுத்துவதற்கான ஒரு முக்கியமான நுட்பமாகும்.

இங்காட்பின்னர் சிலிக்கான் கார்பைடு SiC செதில்களை உருவாக்க வெட்டப்படுகிறது.

சிலிக்கான் கார்பைடு பொருள் பண்புகள்

பல்வேறு வகையான SiC செதில்கள்

மூன்று வகைகள் உள்ளன:n-வகை sic செதில், p-வகை sic செதில்மற்றும்உயர் தூய்மை அரை-இன்சுலேடிங் sic செதில். ஊக்கமருந்து என்பது சிலிக்கான் படிகத்திற்கு அசுத்தங்களை அறிமுகப்படுத்தும் அயனி பொருத்துதலைக் குறிக்கிறது. இந்த டோபண்டுகள் படிகத்தின் அணுக்களை அயனி பிணைப்புகளை உருவாக்க அனுமதிக்கின்றன, இது ஒருமுறை உள்ளார்ந்த படிகத்தை வெளிப்புறமாக ஆக்குகிறது. இந்த செயல்முறை இரண்டு வகையான அசுத்தங்களை அறிமுகப்படுத்துகிறது; N-வகை மற்றும் P-வகை. âtypeâ ஆனது இரசாயன எதிர்வினையை உருவாக்கப் பயன்படுத்தப்படும் பொருட்களைப் பொறுத்தது. N-வகை மற்றும் P-வகை SiC வேஃபர் இடையே உள்ள வேறுபாடு ஊக்கமருந்து போது இரசாயன எதிர்வினை உருவாக்கப் பயன்படுத்தப்படும் முதன்மைப் பொருள் ஆகும். பயன்படுத்தப்படும் பொருளைப் பொறுத்து, வெளிப்புற சுற்றுப்பாதையில் ஐந்து அல்லது மூன்று எலக்ட்ரான்கள் ஒன்று எதிர்மறையாக சார்ஜ் செய்யப்பட்ட (N-வகை) மற்றும் ஒரு நேர்மறையாக சார்ஜ் செய்யப்பட்ட (P-type) எலக்ட்ரான்களைக் கொண்டிருக்கும்.

N-வகை SiC செதில்கள் முக்கியமாக புதிய ஆற்றல் வாகனங்கள், உயர் மின்னழுத்த பரிமாற்றம் மற்றும் துணை மின்நிலையம், வெள்ளை பொருட்கள், அதிவேக ரயில்கள், மோட்டார்கள், ஒளிமின்னழுத்த இன்வெர்ட்டர்கள், பல்ஸ் பவர் சப்ளைகள் போன்றவற்றில் பயன்படுத்தப்படுகின்றன. அவை சாதன ஆற்றல் இழப்பைக் குறைத்தல், மேம்படுத்துதல் போன்ற நன்மைகளைக் கொண்டுள்ளன. உபகரண நம்பகத்தன்மை, உபகரணங்களின் அளவைக் குறைத்தல் மற்றும் உபகரணங்களின் செயல்திறனை மேம்படுத்துதல் மற்றும் ஆற்றல் மின்னணு சாதனங்களை தயாரிப்பதில் ஈடுசெய்ய முடியாத நன்மைகள் உள்ளன.

உயர் தூய்மையான அரை-இன்சுலேடிங் SiC வேஃபர் முக்கியமாக உயர் சக்தி RF சாதனங்களின் அடி மூலக்கூறாகப் பயன்படுத்தப்படுகிறது.

எபிடாக்ஸி - III-V நைட்ரைடு படிவு

SiC அடி மூலக்கூறு அல்லது சபையர் அடி மூலக்கூறு மீது SiC, GaN, AlxGa1-xN மற்றும் InyGa1-yN எபிடாக்சியல் அடுக்குகள்.