Aixtron G5 க்கான 6'' வேஃபர் கேரியர்

செமிகோரெக்ஸ் 6'' Aixtron G5 க்கான வேஃபர் கேரியர், பெரும்பாலும் susceptors என குறிப்பிடப்படுகிறது, உயர் வெப்பநிலை செயலாக்கத்தின் போது குறைக்கடத்தி செதில்களை பாதுகாப்பாக வைத்திருப்பதன் மூலம் முக்கிய பங்கு வகிக்கிறது. செதில்கள் ஒரு நிலையான நிலையில் இருப்பதை சஸ்செப்டர்கள் உறுதி செய்கின்றன, இது சீரான அடுக்கு படிவுக்கு முக்கியமானது:

வெப்ப மேலாண்மை:

Aixtron G5 க்கான 6'' வேஃபர் கேரியர், செதில் மேற்பரப்பில் சீரான வெப்பம் மற்றும் குளிர்ச்சியை வழங்க வடிவமைக்கப்பட்டுள்ளது, இது உயர்தர குறைக்கடத்தி அடுக்குகளை உருவாக்க பயன்படும் எபிடாக்சியல் வளர்ச்சி செயல்முறைகளுக்கு முக்கியமானது.

எபிடாக்சியல் வளர்ச்சி:

SiC மற்றும் GaN அடுக்குகள்:

Aixtron G5 இயங்குதளம் முதன்மையாக SiC மற்றும் GaN அடுக்குகளின் எபிடாக்சியல் வளர்ச்சிக்கு பயன்படுத்தப்படுகிறது. உயர்-எலக்ட்ரான்-மொபிலிட்டி டிரான்சிஸ்டர்கள் (HEMTகள்), எல்இடிகள் மற்றும் பிற மேம்பட்ட குறைக்கடத்தி சாதனங்கள் தயாரிப்பதில் இந்த அடுக்குகள் அடிப்படையானவை.

துல்லியம் மற்றும் சீரான தன்மை:

எபிடாக்சியல் வளர்ச்சி செயல்பாட்டில் தேவைப்படும் உயர் துல்லியம் மற்றும் சீரான தன்மை Aixtron G5 க்கான 6'' வேஃபர் கேரியரின் விதிவிலக்கான பண்புகளால் எளிதாக்கப்படுகிறது. உயர் செயல்திறன் கொண்ட குறைக்கடத்தி சாதனங்களுக்குத் தேவையான கடுமையான தடிமன் மற்றும் கலவை சீரான தன்மையை அடைய கேரியர் உதவுகிறது.

பலன்கள்:

உயர் வெப்பநிலை நிலைத்தன்மை:

தீவிர வெப்பநிலை சகிப்புத்தன்மை:

Aixtron G5 க்கான 6'' வேஃபர் கேரியர் மிக அதிக வெப்பநிலையை தாங்கும், பெரும்பாலும் 1600°C ஐ விட அதிகமாக இருக்கும். நீண்ட காலத்திற்கு நீடித்த உயர் வெப்பநிலை தேவைப்படும் எபிடாக்சியல் செயல்முறைகளுக்கு இந்த நிலைத்தன்மை முக்கியமானது.

வெப்ப ஒருமைப்பாடு:

Aixtron G5 க்கான 6'' வேஃபர் கேரியரின் திறன், அத்தகைய உயர் வெப்பநிலையில் கட்டமைப்பு ஒருமைப்பாட்டைப் பேணுவது நிலையான செயல்திறனை உறுதிசெய்கிறது மற்றும் வெப்பச் சிதைவின் அபாயத்தைக் குறைக்கிறது, இது குறைக்கடத்தி அடுக்குகளின் தரத்தை சமரசம் செய்யலாம்.

சிறந்த வெப்ப கடத்துத்திறன்:

வெப்ப விநியோகம்:

SiC இன் உயர் வெப்ப கடத்துத்திறன் செதில் மேற்பரப்பு முழுவதும் திறமையான வெப்ப பரிமாற்றத்தை எளிதாக்குகிறது, இது ஒரு சீரான வெப்பநிலை சுயவிவரத்தை உறுதி செய்கிறது. எபிடாக்சியல் அடுக்குகளில் குறைபாடுகள் மற்றும் சீரற்ற தன்மைகளுக்கு வழிவகுக்கும் வெப்ப சாய்வுகளைத் தவிர்ப்பதற்கு இந்த சீரான தன்மை இன்றியமையாதது.

மேம்படுத்தப்பட்ட செயல்முறை கட்டுப்பாடு:

மேம்படுத்தப்பட்ட வெப்ப மேலாண்மை எபிடாக்சியல் வளர்ச்சி செயல்முறையின் மீது சிறந்த கட்டுப்பாட்டை அனுமதிக்கிறது, குறைந்த குறைபாடுகளுடன் உயர்தர குறைக்கடத்தி அடுக்குகளை உற்பத்தி செய்ய உதவுகிறது.

இரசாயன எதிர்ப்பு:

அரிக்கும் சூழல் இணக்கத்தன்மை:

Aixtron G5 க்கான 6'' வேஃபர் கேரியர், ஹைட்ரஜன் மற்றும் அம்மோனியா போன்ற CVD செயல்முறைகளில் பொதுவாகப் பயன்படுத்தப்படும் அரிக்கும் வாயுக்களுக்கு விதிவிலக்கான எதிர்ப்பை வழங்குகிறது. இந்த எதிர்ப்பானது கிராஃபைட் அடி மூலக்கூறை இரசாயன தாக்குதலில் இருந்து பாதுகாப்பதன் மூலம் வேஃபர் கேரியர்களின் ஆயுளை நீட்டிக்கிறது.

குறைக்கப்பட்ட பராமரிப்பு செலவுகள்:

Aixtron G5 க்கான 6'' வேஃபர் கேரியரின் நீடித்து நிலைத்திருப்பது, பராமரிப்பு மற்றும் மாற்றீடுகளின் அதிர்வெண்ணைக் குறைக்கிறது, இது குறைந்த செயல்பாட்டுச் செலவுகள் மற்றும் Aixtron G5 உபகரணங்களுக்கான அதிக நேர வேலைகளுக்கு வழிவகுக்கிறது.

வெப்ப விரிவாக்கத்தின் குறைந்த குணகம் (CTE):

குறைக்கப்பட்ட வெப்ப அழுத்தம்:

SiC இன் குறைந்த CTE ஆனது எபிடாக்சியல் வளர்ச்சி செயல்முறைகளில் உள்ளார்ந்த விரைவான வெப்பமூட்டும் மற்றும் குளிரூட்டும் சுழற்சிகளின் போது வெப்ப அழுத்தத்தைக் குறைக்க உதவுகிறது. வெப்ப அழுத்தத்தில் இந்த குறைப்பு செதில் விரிசல் அல்லது சிதைவுக்கான வாய்ப்பைக் குறைக்கிறது, இது சாதனம் தோல்விக்கு வழிவகுக்கும்.

Aixtron G5 உபகரணத்துடன் இணக்கம்:

வடிவமைக்கப்பட்ட வடிவமைப்பு:

Aixtron G5 க்கான Semicorex 6'' Wafer Carrier ஆனது Aixtron G5 உபகரணங்களுடன் இணக்கமாக இருக்கும்படி வடிவமைக்கப்பட்டுள்ளது, இது உகந்த செயல்திறன் மற்றும் தடையற்ற ஒருங்கிணைப்பை உறுதி செய்கிறது.

அதிகபட்ச செயல்திறன்:

இந்த இணக்கத்தன்மை Aixtron G5 அமைப்பின் செயல்திறன் மற்றும் செயல்திறனை அதிகரிக்கிறது, இது நவீன குறைக்கடத்தி உற்பத்தி செயல்முறைகளின் துல்லியமான தேவைகளை பூர்த்தி செய்ய உதவுகிறது.