LPE SiC-Epi ஹாஃப்மூன்

உபகரணக் கூறுகளைப் பாதுகாப்பதன் மூலம், மாசுபடுவதைத் தடுப்பதன் மூலம், சீரான செயல்முறை நிலைமைகளை உறுதி செய்வதன் மூலம், Semicorex LPE SiC-Epi Halfmoon ஆனது, செமிகண்டக்டர் தொழிற்துறையை நமது தொழில்நுட்ப உலகிற்குச் சக்தியளிக்கும் அதிநவீன மற்றும் உயர் செயல்திறன் கொண்ட சாதனங்களைத் தயாரிக்க உதவுகிறது.

பல பொருட்கள் உயர்ந்த வெப்பநிலையில் செயல்திறன் சிதைவுக்கு ஆளாகின்றன, ஆனால் CVD TaC அல்ல. LPE SiC-Epi Halfmoon, அதன் விதிவிலக்கான வெப்ப நிலைத்தன்மை மற்றும் ஆக்சிஜனேற்றத்திற்கு எதிர்ப்புடன், எபிடாக்சி உலைகளுக்குள் எதிர்கொள்ளும் அதிக வெப்பநிலையில் கூட கட்டமைப்பு ரீதியாக ஒலி மற்றும் இரசாயன ரீதியாக செயலற்றதாக இருக்கும். இது நிலையான வெப்பமூட்டும் சுயவிவரங்களை உறுதி செய்கிறது, சிதைந்த கூறுகளிலிருந்து மாசுபடுவதைத் தடுக்கிறது மற்றும் நம்பகமான படிக வளர்ச்சியை செயல்படுத்துகிறது. இந்த மீள்தன்மை TaC இன் உயர் உருகுநிலை (3800°Cக்கு மேல்) மற்றும் ஆக்சிஜனேற்றம் மற்றும் வெப்ப அதிர்ச்சிக்கு அதன் எதிர்ப்பிலிருந்து உருவாகிறது.

பல எபிடாக்சியல் செயல்முறைகள் சிலேன், அம்மோனியா மற்றும் மெட்டல் ஆர்கானிக்ஸ் போன்ற வினைத்திறன் வாயுக்களைச் சார்ந்து வளர்ந்து வரும் படிகத்திற்கு உட்கூறு அணுக்களை வழங்குகின்றன. இந்த வாயுக்கள் மிகவும் அரிக்கும், அணு உலை கூறுகளைத் தாக்கி, நுண்ணிய எபிடாக்சியல் அடுக்கை மாசுபடுத்தும். LPE SiC-Epi Halfmoon இரசாயன அச்சுறுத்தல்களின் சரமாரிக்கு எதிராக நிற்கிறது. வினைத்திறன் வாயுக்களுக்கான அதன் உள்ளார்ந்த செயலற்ற தன்மை l TaC லேட்டிஸில் உள்ள வலுவான இரசாயன பிணைப்புகளிலிருந்து உருவாகிறது, இந்த வாயுக்கள் பூச்சுடன் வினைபுரிவதிலிருந்து அல்லது பரவுவதைத் தடுக்கிறது. இந்த விதிவிலக்கான இரசாயன எதிர்ப்பானது LPE SiC-Epi Halfmoon ஐ கடுமையான இரசாயன செயலாக்க சூழல்களில் கூறுகளைப் பாதுகாப்பதில் குறிப்பிடத்தக்க பகுதியாக ஆக்குகிறது.

உராய்வு என்பது செயல்திறன் மற்றும் நீண்ட ஆயுளுக்கு எதிரி. LPE SiC-Epi Halfmoon இன் CVD TaC பூச்சு, தேய்மானத்திற்கு எதிராக ஒரு அடங்காத கவசமாக செயல்படுகிறது, உராய்வு குணகங்களைக் கணிசமாகக் குறைக்கிறது மற்றும் செயல்பாட்டின் போது ஏற்படும் பொருள் இழப்பைக் குறைக்கிறது. இந்த விதிவிலக்கான உடைகள் எதிர்ப்பானது அதிக மன அழுத்த பயன்பாடுகளில் மிகவும் மதிப்புமிக்கது  அங்கு நுண்ணிய உடைகள் கூட குறிப்பிடத்தக்க செயல்திறன் சிதைவு மற்றும் முன்கூட்டிய தோல்விக்கு வழிவகுக்கும். LPE SiC-Epi Halfmoon இந்த அரங்கில் சிறந்து விளங்குகிறது, இது மிகவும் சிக்கலான வடிவவியல்கள் கூட முழுமையான மற்றும் பாதுகாப்பான அடுக்கைப் பெறுவதை உறுதி செய்யும் விதிவிலக்கான இணக்கமான கவரேஜை வழங்குகிறது, இது செயல்திறன் மற்றும் நீண்ட ஆயுளை மேம்படுத்துகிறது.

CVD TaC பூச்சுகள் சிறிய, சிறப்பு கூறுகளுக்கு மட்டுப்படுத்தப்பட்ட நாட்கள் போய்விட்டன. படிவு தொழில்நுட்பத்தின் முன்னேற்றங்கள் 750 மிமீ விட்டம் கொண்ட அடி மூலக்கூறுகளில் பூச்சுகளை உருவாக்க உதவுகின்றன, மேலும் அதிக தேவைப்படும் பயன்பாடுகளைக் கையாளும் திறன் கொண்ட பெரிய, வலுவான கூறுகளுக்கு வழி வகுத்தது.

LPE ரியாக்டருக்கான 8-இன்ச் ஹாஃப்மூன் பார்ட்

எபிடாக்ஸியில் CVD TaC பூச்சுகளின் நன்மைகள்:

மேம்படுத்தப்பட்ட சாதன செயல்திறன்:செயல்முறை தூய்மை மற்றும் சீரான தன்மையை பராமரிப்பதன் மூலம், CVD TaC பூச்சுகள் மேம்பட்ட மின் மற்றும் ஒளியியல் பண்புகளுடன் உயர்தர எபிடாக்சியல் அடுக்குகளின் வளர்ச்சிக்கு பங்களிக்கின்றன, இது குறைக்கடத்தி சாதனங்களில் மேம்பட்ட செயல்திறனுக்கு வழிவகுக்கிறது.

அதிகரித்த செயல்திறன் மற்றும் மகசூல்:CVD TaC-பூசப்பட்ட கூறுகளின் நீட்டிக்கப்பட்ட ஆயுட்காலம், பராமரிப்பு மற்றும் மாற்றத்துடன் தொடர்புடைய வேலையில்லா நேரத்தைக் குறைக்கிறது, இது அதிக உலை இயக்க நேரத்துக்கும் உற்பத்தித் திறனை அதிகரிப்பதற்கும் வழிவகுக்கிறது. கூடுதலாக, குறைக்கப்பட்ட மாசுபாட்டின் ஆபத்து பயன்படுத்தக்கூடிய சாதனங்களின் அதிக விளைச்சலுக்கு மொழிபெயர்க்கிறது.

செலவு-செயல்திறன்:CVD TaC பூச்சுகள் அதிக முன்செலவைக் கொண்டிருக்கும் போது, ​​அவற்றின் நீட்டிக்கப்பட்ட ஆயுட்காலம், குறைக்கப்பட்ட பராமரிப்புத் தேவைகள் மற்றும் மேம்பட்ட சாதன விளைச்சல் ஆகியவை எபிடாக்ஸி உபகரணங்களின் வாழ்நாளில் குறிப்பிடத்தக்க செலவு சேமிப்புக்கு பங்களிக்கின்றன.