GaN எபிடாக்ஸி

Gallium Nitride GaN epitaxy  என்பது சிறந்த மின் மற்றும் ஒளியியல் பண்புகளைக் கொண்ட பரந்த-பேண்ட்கேப் குறைக்கடத்திப் பொருளாகும், இது பல்வேறு எலக்ட்ரானிக் மற்றும் ஆப்டோ எலக்ட்ரானிக் சாதனங்களுக்கான நம்பிக்கைக்குரிய வேட்பாளராக அமைகிறது.

GaN எபிடாக்ஸியானது, உயர்-சக்தி மின்னணுவியல், திட-நிலை விளக்குகள் (LEDகள்) மற்றும் உயர் அதிர்வெண் சாதனங்கள் உட்பட GaN- அடிப்படையிலான சாதனங்களின் வளர்ச்சியில் புரட்சியை ஏற்படுத்தியுள்ளது. பொருள் பண்புகளின் மீது துல்லியமான கட்டுப்பாட்டுடன் உயர்தர GaN எபிடாக்சியல் அடுக்குகளை வளர்க்கும் திறன் GaN சாதனங்களின் செயல்திறன், செயல்திறன் மற்றும் நம்பகத்தன்மையை கணிசமாக மேம்படுத்தியுள்ளது, இது ஆற்றல் மின்னணுவியல், தொலைத்தொடர்பு மற்றும் நுகர்வோர் மின்னணுவியல் போன்ற பல்வேறு தொழில்களில் முன்னேற்றத்திற்கு பங்களிக்கிறது.