SiC எபிடாக்ஸி

Semicorex சிலிக்கான் கார்பைடு சாதனங்களை உருவாக்க அடி மூலக்கூறுகளில் தனிப்பயன் மெல்லிய பட (சிலிக்கான் கார்பைடு) SiC எபிடாக்ஸியை வழங்குகிறது.

SiC epitaxy டோபண்டுகளை இணைத்து அல்லது வெவ்வேறு படிக நோக்குநிலைகளை வளர்ப்பதன் மூலம் குறிப்பிட்ட சாதனத் தேவைகளைப் பூர்த்தி செய்ய வடிவமைக்கப்பட்டுள்ளது. நைட்ரஜன் அல்லது அலுமினியம் போன்ற அசுத்தங்களுடன் எபிடாக்சியல் லேயரை ஊக்கப்படுத்துவது, கேரியர் செறிவைக் கட்டுப்படுத்துவது அல்லது p-n சந்திப்புகளை உருவாக்குவது போன்ற மின் பண்புகளை மாற்ற அனுமதிக்கிறது.

எக்ஸ்ரே டிஃப்ராஃப்ரக்ஷன், ஸ்கேனிங் எலக்ட்ரான் மைக்ரோஸ்கோபி, அணுசக்தி நுண்ணோக்கி மற்றும் மின் அளவீடுகள் உள்ளிட்ட பல்வேறு குணாதிசய நுட்பங்கள் மூலம் SiC எபிடாக்சியல் லேயரின் தரம் மதிப்பிடப்படுகிறது. இந்த நுட்பங்கள் எபிடாக்சியல் அடுக்கின் படிக அமைப்பு, மேற்பரப்பு உருவவியல் மற்றும் மின் செயல்திறன் ஆகியவற்றை மதிப்பீடு செய்ய உதவுகின்றன.

Semicorex வழங்கக்கூடியது: SiC எபிடாக்சியல் வேஃபர், GaN எபிடாக்சியல் வேஃபர், Si Epitaxy, SiC வேஃபர் போன்றவை.