Ga2O3 எபிடாக்ஸி

Ga2O3 எபிடாக்ஸி, நான்காவது தலைமுறை வைட்-பேண்ட்கேப் செமிகண்டக்டரில் இருந்து பெறப்பட்டது, தீவிர சூழல்களில் செயல்திறன் நிலைத்தன்மை மற்றும் நம்பகத்தன்மையின் புதிய நிலை அறிமுகப்படுத்துகிறது. அதன் பரந்த-பேண்ட்கேப் இயற்கையானது உயர்-வெப்பநிலை மற்றும் உயர்-கதிர்வீச்சு பயன்பாடுகளுக்கான தேர்வுப் பொருளாக நிலைநிறுத்துகிறது.

உயர்-பிரேக்டவுன் ஃபீல்ட் ஸ்ட்ரெங்த்: Ga2O3 இன் விதிவிலக்கான முறிவு புலம் வலிமை மற்றும் உயர்ந்த பாலிகா மதிப்புகள் ஆகியவற்றிலிருந்து பலன்கள், உயர் மின்னழுத்தம் மற்றும் உயர்-பவர் பயன்பாடுகளுக்கு நிகரற்ற பொருளாக அமைகிறது. Ga2O3 epitaxy உயர்ந்த நம்பகத்தன்மை மற்றும் குறைந்தபட்ச சக்தி இழப்புகளை உறுதி செய்கிறது.

Ga2O3 epitaxy அதன் உயர்ந்த ஆற்றல் திறனுடன் தனித்து நிற்கிறது. பாலிகா மதிப்புகள் GaN ஐ விட நான்கு மடங்கும், SiC ஐ விட பத்து மடங்கும், சிறந்த கடத்தல் பண்புகளை வழங்குகிறது. Ga2O3 எபிடாக்சி சாதனங்கள் SiC இன் 1/7 வது பங்கு மற்றும் சிலிக்கான் அடிப்படையிலான சாதனங்களில் ஈர்க்கக்கூடிய 1/49 வது சக்தி இழப்பை வெளிப்படுத்துகின்றன.

Ga2O3 எபிடாக்ஸியின் குறைந்த கடினத்தன்மை புனையமைப்பு செயல்முறையை எளிதாக்குகிறது, இதன் விளைவாக செயலாக்க செலவுகள் குறைக்கப்படுகின்றன. இந்த நன்மை Ga2O3 எபிடாக்ஸியை பலவிதமான பயன்பாடுகளுக்கு செலவு குறைந்த மற்றும் அளவிடக்கூடிய தீர்வாக நிலைநிறுத்துகிறது.