4" காலியம் ஆக்சைடு அடி மூலக்கூறுகள்

செமிகோரெக்ஸ் 4" காலியம் ஆக்சைடு அடி மூலக்கூறுகள் சிறந்த இரசாயன மற்றும் வெப்ப நிலைத்தன்மையை வெளிப்படுத்துகிறது, தீவிர நிலைகளிலும் அதன் செயல்திறன் சீரானதாகவும் நம்பகத்தன்மையுடனும் இருப்பதை உறுதி செய்கிறது. அதிக வெப்பநிலை மற்றும் எதிர்வினை சூழல்கள் உள்ள பயன்பாடுகளில் இந்த வலிமை முக்கியமானது. மேலும், 4" கேலியம் ஆக்சைடு அடி மூலக்கூறுகள் சிறந்த ஒளியியல் வெளிப்படைத்தன்மையை பராமரிக்கிறது. புற ஊதா முதல் அகச்சிவப்பு வரை பரந்த அலைநீளம் முழுவதும், ஒளி-உமிழும் டையோட்கள் மற்றும் லேசர் டையோட்கள் உள்ளிட்ட ஆப்டோ எலக்ட்ரானிக் பயன்பாடுகளுக்கு இது கவர்ச்சிகரமானதாக அமைகிறது.

4.7 முதல் 4.9 eV வரையிலான பேண்ட்கேப் உடன், 4" காலியம் ஆக்சைடு அடி மூலக்கூறுகள் சிலிக்கான் கார்பைடு (SiC) மற்றும் கேலியம் நைட்ரைடு (GaN) ஆகியவற்றைக் கணிசமாக மிஞ்சும். GaN இன் 3.3 MV/cm இந்த பண்பு, 250 cm²/Vs இன் எலக்ட்ரான் இயக்கம் மற்றும் மின்சாரத்தை கடத்துவதில் மேம்படுத்தப்பட்ட வெளிப்படைத்தன்மையுடன் இணைந்து, 4" காலியம் ஆக்சைடு அடி மூலக்கூறுகளுக்கு ஆற்றல் மின்னணுவியலில் குறிப்பிடத்தக்க விளிம்பை அளிக்கிறது. அதன் பாலிகாவின் தகுதியின் எண்ணிக்கை 3000 ஐ விட அதிகமாக உள்ளது, இது GaN மற்றும் SiC ஐ விட பல மடங்கு அதிகமாக உள்ளது, இது ஆற்றல் பயன்பாடுகளில் சிறந்த செயல்திறனைக் குறிக்கிறது.

Semicorex 4" காலியம் ஆக்சைடு அடி மூலக்கூறுகள் குறிப்பாக தகவல் தொடர்பு, ரேடார், விண்வெளி, அதிவேக ரயில் மற்றும் புதிய ஆற்றல் வாகனங்கள் ஆகியவற்றில் பயன்படுத்துவதற்கு சாதகமாக உள்ளன. இந்த துறைகளில் குறிப்பாக அதிக சக்தி, உயர் வெப்பநிலை, கதிர்வீச்சு கண்டறிதல் உணரிகளுக்கு அவை மிகவும் பொருத்தமானவை. SiC மற்றும் GaN ஐ விட Ga2O3 குறிப்பிடத்தக்க நன்மைகளைக் காட்டும் உயர் அதிர்வெண் சாதனங்கள்.