> செய்தி

செய்தி

SiC படிகங்களில் உள்ள குறைபாடுகள் பற்றி - மைக்ரோபைப்

SiC அடி மூலக்கூறு த்ரெடிங் ஸ்க்ரூ டிஸ்லோகேஷன் (TSD), த்ரெடிங் எட்ஜ் டிஸ்லோகேஷன் (TED), பேஸ் பிளேன் டிஸ்லோகேஷன் (BPD) மற்றும் பிற நுண்ணிய குறைபாடுகளைக் கொண்டிருக்கலாம். இந்த குறைபாடுகள் அணு மட்டத்தில் அணுக்களின் அமைப்பில் ஏற்படும் விலகல்களால் ஏற்படுகின்றன. SiC படிகங்கள் Si அல்லது C உள்ளடக்கங்கள், மைக......

மேலும் படிக்க

திரவ நிலை எபிடாக்ஸி முறையை ஏன் தேர்வு செய்ய வேண்டும்?

PVT முறையுடன் ஒப்பிடுகையில், SiC ஐ வளர்ப்பதற்கான திரவ நிலை முறை பின்வரும் நன்மைகளைக் கொண்டுள்ளது:

மேலும் படிக்க

திரவ நிலை எபிடாக்ஸி என்றால் என்ன?

திரவ நிலை முறை வெப்ப இயக்கவியல் சமநிலை நிலைமைகளுக்கு நெருக்கமாக உள்ளது மற்றும் சிறந்த தரத்துடன் SiC படிகங்களை வளர்க்க முடியும்.

மேலும் படிக்க

TaC பூச்சு

ஆராய்ச்சி முடிவுகளின்படி, TaC பூச்சு கிராஃபைட் கூறுகளின் ஆயுளை நீட்டிக்கவும், ரேடியல் வெப்பநிலை சீரான தன்மையை மேம்படுத்தவும், SiC பதங்கமாதல் ஸ்டோச்சியோமெட்ரியை பராமரிக்கவும், தூய்மையற்ற இடம்பெயர்வை அடக்கவும் மற்றும் ஆற்றல் நுகர்வு குறைக்கவும் ஒரு பாதுகாப்பு மற்றும் தனிமைப்படுத்தல் அடுக்காக செயல்படும......

மேலும் படிக்க

குறைக்கடத்தியில் CVD செயல்முறை என்றால் என்ன?

இரசாயன நீராவி படிவு CVD என்பது வெற்றிட மற்றும் உயர் வெப்பநிலை நிலைகளின் கீழ் ஒரு எதிர்வினை அறைக்குள் இரண்டு அல்லது அதற்கு மேற்பட்ட வாயு மூலப்பொருட்களை அறிமுகப்படுத்துவதைக் குறிக்கிறது, அங்கு வாயு மூலப்பொருட்கள் ஒன்றுடன் ஒன்று வினைபுரிந்து ஒரு புதிய பொருளை உருவாக்குகின்றன, இது செதில் மேற்பரப்பில் வைக......

மேலும் படிக்க

ஒளிமின்னழுத்த தொழில் வளர்ச்சி மேலோட்டம்

2027 ஆம் ஆண்டில், சூரிய ஒளிமின்னழுத்தம் (PV) உலகின் மிகப்பெரிய நிறுவப்பட்ட திறனாக நிலக்கரியை முந்திவிடும். சோலார் PV இன் ஒட்டுமொத்த நிறுவப்பட்ட திறன் நமது முன்னறிவிப்பில் கிட்டத்தட்ட மூன்று மடங்காகும், இந்த காலகட்டத்தில் கிட்டத்தட்ட 1,500 ஜிகாவாட்கள் வளரும், மேலும் 2026 இல் இயற்கை எரிவாயுவையும் 2027......

மேலும் படிக்க

<...31 32 33 34 35...37 >