4" 6" உயர் தூய்மை அரை-இன்சுலேட்டிங் SiC இங்காட்

4 இன்ச் செமி-இன்சுலேட்டிங் SiC இங்காட் விவரக்குறிப்பு

பொருட்கள்

உற்பத்தி தரம்

போலி தரம்

பாலிடைப்

4H

மின்தடை / ஓம் · செ.மீ

என்று

விட்டம்

100.25 ± 0.25 மிமீ

தடிமன்

≥15 மிமீ

மேற்பரப்பு நோக்குநிலை பிழை

0± 0.2°

முதன்மை தட்டையான நோக்குநிலை

[1- 100]±5.0°

முதன்மை தட்டையான நீளம்

32.5 ± 1.5 மிமீ

இரண்டாம் நிலை பிளாட்

முதன்மை ±5.0° இலிருந்து 90.0°CW, சிலிக்கான் முகம் மேலே

இரண்டாம் நிலை தட்டையான நீளம்

17± 1.5 மிமீ

நுண்குழாய் அடர்த்தி

≤1 EA/cm2

≤10 EA/cm2

விளிம்பு விரிசல்

≤3 of，≤1mm/ea

≤5 of，≤3mm/ea

பாலிடைப் பகுதிகள்

இல்லை

≤5% பரப்பளவு

விளிம்பு உள்தள்ளல்கள்

≤3 ea，≤1mm அகலம் மற்றும் ஆழம்

≤5 ea，≤2mm அகலம் மற்றும் ஆழம்

லேபிள்

சி-முகம்

பேக்கேஜிங்

அலகு-இங்காட் கேசட், வெற்றிட பேக்கேஜிங்

6 அங்குல அரை-இன்சுலேடிங் SiC இங்காட் விவரக்குறிப்பு

பொருட்கள்

உற்பத்தி தரம்

போலி தரம்

பாலிடைப்

4H

மின்தடை / ஓம் · செ.மீ

என்று

விட்டம்

150.25 ± 0.25 மிமீ

தடிமன்

≥10 மிமீ

மேற்பரப்பு நோக்குநிலை பிழை

0± 0.25°

நாட்ச் நோக்குநிலை

[1- 100]±5.0°

நாட்ச் ஆழம்

1~1.25 மிமீ

நுண்குழாய் அடர்த்தி

≤1 EA/cm2

≤10 EA/cm2

விளிம்பு விரிசல்

≤3 of，≤1mm/ea

≤5 of，≤3mm/ea

பாலிடைப் பகுதிகள்

இல்லை

≤5% பரப்பளவு

விளிம்பு உள்தள்ளல்கள்

≤3 ea，≤1mm அகலம் மற்றும் ஆழம்

≤5 ea，≤2mm அகலம் மற்றும் ஆழம்

லேபிள்

சி-முகம்

பேக்கேஜிங்

அலகு-இங்காட் கேசட், வெற்றிட பேக்கேஜிங்