சிலிக்கான் கார்பைடு(SiC) படிக வளர்ச்சி உலை

படிக வளர்ச்சி என்பது உற்பத்தியின் முக்கிய இணைப்பாகும்சிலிக்கான் கார்பைடு அடி மூலக்கூறுகள், மற்றும் முக்கிய உபகரணங்கள் படிக வளர்ச்சி உலை ஆகும். பாரம்பரிய படிக சிலிக்கான் தர படிக வளர்ச்சி உலைகளைப் போலவே, உலை அமைப்பு மிகவும் சிக்கலானது அல்ல, முக்கியமாக உலை உடல், வெப்பமாக்கல் அமைப்பு, சுருள் பரிமாற்ற பொறிமுறை, வெற்றிட கையகப்படுத்தல் மற்றும் அளவீட்டு அமைப்பு, ஒரு வாயு பாதை அமைப்பு, குளிரூட்டும் அமைப்பு ஆகியவற்றைக் கொண்டுள்ளது. , ஒரு கட்டுப்பாட்டு அமைப்பு போன்றவைசிலிக்கான் கார்பைடு படிகங்கள்.

வளர்ச்சியின் போது வெப்பநிலைசிலிக்கான் கார்பைடு படிகங்கள்மிக அதிகமாக உள்ளது மற்றும் கண்காணிக்க முடியாது, எனவே முக்கிய சிரமம் செயல்பாட்டில் உள்ளது.

(1) வெப்பப் புலக் கட்டுப்பாடு கடினம்: மூடிய உயர் வெப்பநிலை துவாரங்களைக் கண்காணிப்பது கடினம் மற்றும் கட்டுப்படுத்த முடியாதது. பாரம்பரிய சிலிக்கான்-அடிப்படையிலான தீர்வு Czochralski படிக வளர்ச்சி உபகரணங்களிலிருந்து வேறுபட்டது, அதிக அளவு தன்னியக்கம் மற்றும் படிக வளர்ச்சி செயல்முறையை அவதானிக்கலாம் மற்றும் கட்டுப்படுத்தலாம், சிலிக்கான் கார்பைடு படிகங்கள் 2,000 ° C க்கும் அதிகமான வெப்பநிலையில் மூடிய இடத்தில் வளரும். உற்பத்தியின் போது வளர்ச்சி வெப்பநிலை துல்லியமாக கட்டுப்படுத்தப்பட வேண்டும். , வெப்பநிலை கட்டுப்பாடு கடினம்;

(2) படிக வடிவத்தைக் கட்டுப்படுத்துவது கடினம்: நுண்குழாய்கள், பாலிடைப் சேர்த்தல்கள் மற்றும் இடப்பெயர்வுகள் போன்ற குறைபாடுகள் வளர்ச்சியின் போது ஏற்பட வாய்ப்புள்ளது, மேலும் அவை ஒன்றுடன் ஒன்று தொடர்புகொண்டு பரிணாம வளர்ச்சி அடைகின்றன. நுண்குழாய்கள் (MP) என்பது சில மைக்ரான்கள் முதல் பத்து மைக்ரான்கள் வரையிலான அளவுகள் கொண்ட ஊடுருவும் குறைபாடுகள் மற்றும் சாதனங்களின் கொலையாளி குறைபாடுகள் ஆகும்; சிலிக்கான் கார்பைடு ஒற்றைப் படிகங்களில் 200க்கும் மேற்பட்ட வெவ்வேறு படிக வடிவங்கள் உள்ளன, ஆனால் சில படிக கட்டமைப்புகள் (4H வகை) மட்டுமே உற்பத்திக்குத் தேவைப்படும் குறைக்கடத்திப் பொருளாகும். வளர்ச்சிச் செயல்பாட்டின் போது, ​​படிக உருமாற்றம் ஏற்பட வாய்ப்புள்ளது, இது பல வகை சேர்க்கை குறைபாடுகளை ஏற்படுத்துகிறது. எனவே, சிலிக்கான்-கார்பன் விகிதம், வளர்ச்சி வெப்பநிலை சாய்வு, படிக வளர்ச்சி விகிதம் மற்றும் காற்று ஓட்ட அழுத்தம் போன்ற அளவுருக்களை துல்லியமாக கட்டுப்படுத்துவது அவசியம். கூடுதலாக, சிலிக்கான் கார்பைடு ஒற்றை படிக வளர்ச்சி வெப்பப் புலத்தில் வெப்பநிலை சாய்வு உள்ளது, இது படிகத்தின் போது பூர்வீக உள் அழுத்தம் மற்றும் அதன் விளைவாக இடப்பெயர்வுகள் (அடித்தள விமானம் இடப்பெயர்வு BPD, திருகு விலகல் TSD, விளிம்பு இடப்பெயர்வு TED) போன்ற குறைபாடுகள் இருப்பதற்கு வழிவகுக்கிறது. வளர்ச்சி செயல்முறை, இதனால் அடுத்தடுத்த எபிடாக்ஸி மற்றும் சாதனங்களை பாதிக்கிறது. தரம் மற்றும் செயல்திறன்.

(3) ஊக்கமருந்து கட்டுப்பாடு கடினம்: வெளிப்புற அசுத்தங்கள் அறிமுகம் கண்டிப்பாக கட்டுப்படுத்தப்பட வேண்டும் திசையில் ஊக்கமருந்து கடத்தும் படிகங்கள் பெற;

(4) மெதுவான வளர்ச்சி விகிதம்: சிலிக்கான் கார்பைட்டின் படிக வளர்ச்சி விகிதம் மிகவும் மெதுவாக உள்ளது. பாரம்பரிய சிலிக்கான் பொருள் படிகக் கம்பியாக வளர 3 நாட்கள் மட்டுமே ஆகும், சிலிக்கான் கார்பைடு படிகக் கம்பிக்கு 7 நாட்கள் ஆகும். இது சிலிக்கான் கார்பைடின் உற்பத்தித் திறனில் இயற்கையான குறைவை ஏற்படுத்துகிறது. குறைந்த, வெளியீடு மிகவும் குறைவாக உள்ளது.

மறுபுறம், சிலிக்கான் கார்பைடு எபிடாக்சியல் வளர்ச்சியின் அளவுருக்கள் மிகவும் தேவைப்படுகின்றன, இதில் கருவிகளின் காற்று புகாத தன்மை, எதிர்வினை அறையின் அழுத்த நிலைத்தன்மை, வாயு அறிமுக நேரத்தின் துல்லியமான கட்டுப்பாடு, வாயு விகிதத்தின் துல்லியம் மற்றும் கண்டிப்பானது ஆகியவை அடங்கும். படிவு வெப்பநிலை மேலாண்மை. குறிப்பாக சாதனங்களின் மின்னழுத்த அளவு அதிகரிப்பதால், எபிடாக்சியல் செதில்களின் முக்கிய அளவுருக்களை கட்டுப்படுத்துவதில் சிரமம் கணிசமாக அதிகரிக்கிறது.

கூடுதலாக, எபிடாக்சியல் அடுக்கின் தடிமன் அதிகரிக்கும் போது, ​​எதிர்ப்பின் சீரான தன்மையைக் கட்டுப்படுத்துவது மற்றும் குறைபாடு அடர்த்தியைக் குறைப்பது எப்படி என்பது மற்றொரு பெரிய சவாலாக மாறியுள்ளது. மின்மயமாக்கப்பட்ட கட்டுப்பாட்டு அமைப்புகளில், பல்வேறு அளவுருக்கள் துல்லியமாகவும் நிலையானதாகவும் கட்டுப்படுத்தப்படுவதை உறுதிசெய்ய, உயர் துல்லிய உணரிகள் மற்றும் ஆக்சுவேட்டர்களை ஒருங்கிணைக்க வேண்டியது அவசியம். அதே நேரத்தில், கட்டுப்பாட்டு அல்காரிதத்தின் தேர்வுமுறையும் முக்கியமானது. சிலிக்கான் கார்பைடு எபிடாக்சியல் வளர்ச்சி செயல்பாட்டில் பல்வேறு மாற்றங்களுக்கு ஏற்ப, நிகழ்நேரத்தில் பின்னூட்ட சமிக்ஞைகளின் அடிப்படையில் கட்டுப்பாட்டு உத்தியை இது சரிசெய்ய வேண்டும்.

Semicorex உயர்தரத்தை வழங்குகிறதுSiC படிக வளர்ச்சிக்கான கூறுகள். உங்களிடம் ஏதேனும் விசாரணைகள் இருந்தால் அல்லது கூடுதல் விவரங்கள் தேவைப்பட்டால், தயவுசெய்து எங்களைத் தொடர்புகொள்ள தயங்க வேண்டாம்.

தொடர்பு தொலைபேசி எண் +86-13567891907

மின்னஞ்சல்: sales@semicorex.com