GaN vs SiC

தற்போது விசாரணையில் பல பொருட்கள் உள்ளன, அவற்றில்சிலிக்கான் கார்பைடுமிகவும் நம்பிக்கைக்குரிய ஒன்றாக நிற்கிறது. இதற்கு ஒத்தGaN, இது சிலிக்கானுடன் ஒப்பிடும்போது அதிக இயக்க மின்னழுத்தங்கள், அதிக முறிவு மின்னழுத்தங்கள் மற்றும் உயர்ந்த கடத்துத்திறன் ஆகியவற்றைக் கொண்டுள்ளது. மேலும், அதன் உயர் வெப்ப கடத்துத்திறன் காரணமாக,சிலிக்கான் கார்பைடுதீவிர வெப்பநிலை கொண்ட சூழல்களில் பயன்படுத்தப்படலாம். கடைசியாக, இது குறிப்பிடத்தக்க அளவில் சிறியதாக இருந்தாலும் அதிக சக்தியைக் கையாளும் திறன் கொண்டது.

இருந்தாலும்SiCசக்தி பெருக்கிகளுக்கு ஏற்ற பொருள், இது உயர் அதிர்வெண் பயன்பாடுகளுக்கு ஏற்றது அல்ல. மறுபுறம்,GaNசிறிய சக்தி பெருக்கிகளை உருவாக்குவதற்கான விருப்பமான பொருள். இருப்பினும், இணைக்கும் போது பொறியாளர்கள் ஒரு சவாலை எதிர்கொண்டனர்GaNP-வகை சிலிக்கான் MOS டிரான்சிஸ்டர்களுடன், இது அதிர்வெண் மற்றும் செயல்திறனை மட்டுப்படுத்தியதுGaN. இந்த கலவையானது நிரப்பு திறன்களை வழங்கினாலும், அது பிரச்சனைக்கு சிறந்த தீர்வாக இல்லை.

தொழில்நுட்பம் முன்னேறும்போது, ​​ஆராய்ச்சியாளர்கள் இறுதியில் பி-வகை GaN சாதனங்கள் அல்லது பல்வேறு தொழில்நுட்பங்களைப் பயன்படுத்தி நிரப்பக்கூடிய சாதனங்களைக் கண்டறியலாம்.GaN. இருப்பினும் அந்த நாள் வரைGaNநம் காலத்தின் தொழில்நுட்பத்தால் தொடர்ந்து மட்டுப்படுத்தப்படும்.

இன் முன்னேற்றம்GaNதொழில்நுட்பத்திற்கு பொருள் அறிவியல், மின் பொறியியல் மற்றும் இயற்பியல் இடையே கூட்டு முயற்சி தேவைப்படுகிறது. இன் தற்போதைய வரம்புகளைக் கடக்க இந்த இடைநிலை அணுகுமுறை அவசியம்GaNதொழில்நுட்பம். P-வகை GaN ஐ உருவாக்குவதில் நாம் முன்னேற்றங்களைச் செய்ய முடியுமானால் அல்லது பொருத்தமான நிரப்புப் பொருட்களைக் கண்டறிந்தால், அது GaN- அடிப்படையிலான சாதனங்களின் செயல்திறனை மேம்படுத்துவதோடு மட்டுமல்லாமல், குறைக்கடத்தி தொழில்நுட்பத்தின் பரந்த துறையிலும் பங்களிக்கும். இது எதிர்காலத்தில் மிகவும் திறமையான, கச்சிதமான மற்றும் நம்பகமான மின்னணு அமைப்புகளுக்கு வழி வகுக்கும்.