வழிகாட்டி வளையம்

செமிகோரெக்ஸ் வழிகாட்டி வளையம் என்பது எஸ்.ஐ.சி (சிலிக்கான் கார்பைடு) ஒற்றை படிக வளர்ச்சி உலை ஒரு முக்கியமான அங்கமாகும், இது படிக வளர்ச்சி சூழலை மேம்படுத்த வடிவமைக்கப்பட்டுள்ளது. இந்த உயர் செயல்திறன் வழிகாட்டி வளையம் உயர் தூய்மை கிராஃபைட்டிலிருந்து தயாரிக்கப்படுகிறது மற்றும் அதிநவீன சி.வி.டி (வேதியியல் நீராவி படிவு) ஆகியவற்றைக் கொண்டுள்ளதுடான்டலம் கார்பைடு (டிஏசி) பூச்சு. இந்த பொருட்களின் கலவையானது உயர்ந்த ஆயுள், வெப்ப நிலைத்தன்மை மற்றும் தீவிர வேதியியல் மற்றும் உடல் நிலைமைகளுக்கு எதிர்ப்பை உறுதி செய்கிறது.

பொருள் மற்றும் பூச்சு

வழிகாட்டி வளையத்தின் அடிப்படை பொருள் உயர் தூய்மை கிராஃபைட் ஆகும், அதன் சிறந்த வெப்ப கடத்துத்திறன், இயந்திர வலிமை மற்றும் அதிக வெப்பநிலையில் நிலைத்தன்மைக்கு தேர்ந்தெடுக்கப்படுகிறது. கிராஃபைட் அடி மூலக்கூறு பின்னர் மேம்பட்ட சி.வி.டி செயல்முறையைப் பயன்படுத்தி டான்டலம் கார்பைட்டின் அடர்த்தியான, சீரான அடுக்குடன் பூசப்படுகிறது. டான்டலம் கார்பைடு அதன் விதிவிலக்கான கடினத்தன்மை, ஆக்ஸிஜனேற்ற எதிர்ப்பு மற்றும் வேதியியல் செயலற்ற தன்மை ஆகியவற்றிற்கு நன்கு அறியப்பட்டதாகும், இது கடுமையான சூழல்களில் செயல்படும் கிராஃபைட் கூறுகளுக்கு ஒரு சிறந்த பாதுகாப்பு அடுக்காக அமைகிறது.

காலியம் நைட்ரைடு (GAN) மற்றும் சிலிக்கான் கார்பைடு (SIC) ஆகியோரால் குறிப்பிடப்படும் மூன்றாம் தலைமுறை பரந்த பேண்ட்கேப் குறைக்கடத்தி பொருட்கள் சிறந்த ஒளிமின்னழுத்த மாற்றம் மற்றும் மைக்ரோவேவ் சிக்னல் பரிமாற்ற திறன்களைக் கொண்டுள்ளன, மேலும் உயர் அதிர்வெண், உயர் வெப்பநிலை, உயர் சக்தி மற்றும் கதிர்வீச்சு-எதிர்ப்பு மின்னணு சாதனங்களின் தேவைகளைப் பூர்த்தி செய்ய முடியும். எனவே, புதிய தலைமுறை மொபைல் தகவல்தொடர்புகள், புதிய எரிசக்தி வாகனங்கள், ஸ்மார்ட் கட்டங்கள் மற்றும் எல்.ஈ.டிக்கள் ஆகிய துறைகளில் அவர்களுக்கு பரந்த பயன்பாட்டு வாய்ப்புகள் உள்ளன. மூன்றாம் தலைமுறை குறைக்கடத்தி தொழில் சங்கிலியின் விரிவான வளர்ச்சிக்கு முக்கிய முக்கிய தொழில்நுட்பங்களில் முன்னேற்றங்கள், சாதன வடிவமைப்பு மற்றும் புதுமைகளின் தொடர்ச்சியான முன்னேற்றம் மற்றும் இறக்குமதி சார்பு தீர்மானம் தேவை.

சிலிக்கான் கார்பைடு செதில் வளர்ச்சியை எடுத்துக்கொள்வது ஒரு எடுத்துக்காட்டு, வெப்ப புலப் பொருட்களில் கிராஃபைட் பொருட்கள் மற்றும் கார்பன்-கார்பன் கலப்பு பொருட்கள் 2300 at இல் சிக்கலான வளிமண்டலத்தை (SI, SIC₂, SI₂C) செயல்முறையை பூர்த்தி செய்வது கடினம். சேவை வாழ்க்கை குறுகியதாக மட்டுமல்லாமல், வெவ்வேறு பகுதிகள் ஒவ்வொன்றும் பத்து உலைகளாக மாற்றப்படுகின்றன, மேலும் அதிக வெப்பநிலையில் கிராஃபைட்டின் ஊடுருவல் மற்றும் ஆவியாகும் தன்மை கார்பன் சேர்த்தல் போன்ற படிக குறைபாடுகளுக்கு எளிதில் வழிவகுக்கும். குறைக்கடத்தி படிகங்களின் உயர் தரமான மற்றும் நிலையான வளர்ச்சியை உறுதி செய்வதற்காகவும், தொழில்துறை உற்பத்தியின் விலையை கருத்தில் கொண்டு, அதி-உயர் வெப்பநிலை அரிப்பு-எதிர்ப்பு பீங்கான் பூச்சுகள் கிராஃபைட் பகுதிகளின் மேற்பரப்பில் தயாரிக்கப்படுகின்றன, இது கிராஃபைட் கூறுகளின் ஆயுளை நீட்டிக்கும், தூய்மையற்ற இடம்பெயர்வைத் தடுக்கும் மற்றும் படிக தூய்மையை மேம்படுத்தும். சிலிக்கான் கார்பைட்டின் எபிடாக்சியல் வளர்ச்சியில், ஒரு சிலிக்கான் கார்பைடு பூசப்பட்ட கிராஃபைட் சசெப்டர் பொதுவாக ஒற்றை படிக அடி மூலக்கூறை ஆதரிக்கவும் வெப்பப்படுத்தவும் பயன்படுத்தப்படுகிறது. அதன் சேவை வாழ்க்கையை இன்னும் மேம்படுத்த வேண்டும், மேலும் இடைமுகத்தில் உள்ள சிலிக்கான் கார்பைடு வைப்புத்தொகைகள் தவறாமல் சுத்தம் செய்யப்பட வேண்டும். இதற்கு நேர்மாறாக,டான்டலம் கார்பைடு (டிஏசி) பூச்சுஅரிக்கும் வளிமண்டலம் மற்றும் அதிக வெப்பநிலைக்கு மிகவும் எதிர்க்கும், மேலும் இது போன்ற SIC படிகங்களின் "வளர்ச்சி, தடிமன் மற்றும் தரம்" க்கான முக்கிய தொழில்நுட்பமாகும்.

உடல் நீராவி போக்குவரத்து (பி.வி.டி) மூலம் எஸ்.ஐ.சி தயாரிக்கப்படும் போது, ​​விதை படிகமானது ஒப்பீட்டளவில் குறைந்த வெப்பநிலை மண்டலத்தில் உள்ளது, மேலும் எஸ்.ஐ.சி மூலப்பொருள் ஒப்பீட்டளவில் அதிக வெப்பநிலை மண்டலத்தில் (2400 tove க்கு மேல்) உள்ளது. மூலப்பொருள் சிக்ஸியை (முக்கியமாக Si, Sic₂, Si₂c, முதலியன) உற்பத்தி செய்ய சிதைந்து, வாயு கட்ட பொருள் உயர் வெப்பநிலை மண்டலத்திலிருந்து குறைந்த வெப்பநிலை மண்டலத்தில் விதை படிகத்திற்கு கொண்டு செல்லப்படுகிறது, மேலும் அணுக்கருவுகள் மற்றும் ஒரு படிகத்தை உருவாக்குகிறது. இந்த செயல்பாட்டில் பயன்படுத்தப்படும் வெப்ப புலப் பொருட்கள், க்ரூசிபிள், வழிகாட்டி வளையம் மற்றும் விதை படிக வைத்திருப்பவர் போன்றவை அதிக வெப்பநிலையை எதிர்க்க வேண்டும் மற்றும் SIC மூலப்பொருள் மற்றும் SIC ஒற்றை படிகத்தை மாசுபடுத்தாது. டிஏசி-பூசப்பட்ட கிராஃபைட் வெப்ப புலப் பொருட்களைப் பயன்படுத்தி தயாரிக்கப்பட்ட எஸ்.ஐ.சி மற்றும் ஏ.எல்.என் ஆகியவை தூய்மையானவை, கார்பன் (ஆக்ஸிஜன், நைட்ரஜன்), குறைவான விளிம்பு குறைபாடுகள், ஒவ்வொரு பிராந்தியத்திலும் சிறிய எதிர்ப்பையும், மற்றும் கணிசமாகக் குறைக்கப்பட்ட மைக்ரோபோர் அடர்த்தி மற்றும் எட்ச் குழி அடர்த்தி (கோ பொறிப்புக்குப் பிறகு) போன்ற அசுத்தங்கள், படிகத்தின் தரத்தை பெரிதும் மேம்படுத்துகின்றன. கூடுதலாக, TAC க்ரூசிபிலின் எடை இழப்பு விகிதம் கிட்டத்தட்ட பூஜ்ஜியமாகும், தோற்றம் அப்படியே உள்ளது, மேலும் அதை மறுசுழற்சி செய்யலாம், இது அத்தகைய ஒற்றை படிக தயாரிப்பின் நிலைத்தன்மையையும் செயல்திறனையும் மேம்படுத்தலாம்.