3C-SiC வேஃபரின் உற்பத்தியைத் தொடங்கவும்

மொத்த 3C-SiC இன் வெப்ப கடத்துத்திறன், சமீபத்தில் அளவிடப்பட்டது, அங்குல அளவிலான பெரிய படிகங்களில் இரண்டாவது மிக உயர்ந்தது, இது வைரத்திற்குக் கீழே உள்ளது. சிலிக்கான் கார்பைடு (SiC) என்பது எலக்ட்ரானிக் பயன்பாடுகளில் பரவலாகப் பயன்படுத்தப்படும் ஒரு பரந்த பேண்ட்கேப் குறைக்கடத்தி ஆகும், மேலும் இது பாலிடைப்கள் எனப்படும் பல்வேறு படிக வடிவங்களில் உள்ளது. அதிக உள்ளூர்மயமாக்கப்பட்ட வெப்பப் பாய்ச்சலை நிர்வகிப்பது பவர் எலக்ட்ரானிக்ஸில் ஒரு குறிப்பிடத்தக்க சவாலாகும், ஏனெனில் இது சாதனம் அதிக வெப்பமடைதல் மற்றும் நீண்ட கால செயல்திறன் மற்றும் நம்பகத்தன்மை சிக்கல்களுக்கு வழிவகுக்கும்.

இந்த சவாலை திறம்பட எதிர்கொள்ள வெப்ப மேலாண்மை வடிவமைப்பில் உயர் வெப்ப கடத்துத்திறன் பொருட்கள் முக்கியமானவை. மிகவும் பொதுவாகப் பயன்படுத்தப்படும் மற்றும் ஆய்வு செய்யப்பட்ட SiC பாலிடைப்கள் அறுகோண கட்டம் (6H மற்றும் 4H) ஆகும், அதே சமயம் க்யூபிக் ஃபேஸ் (3C) சிறந்த எலக்ட்ரானிக் பண்புகளுக்கான சாத்தியக்கூறு இருந்தபோதிலும் குறைவாகவே ஆய்வு செய்யப்படுகிறது.

3C-SiC இன் அளவிடப்பட்ட வெப்ப கடத்துத்திறன் குழப்பமாக உள்ளது, ஏனெனில் இது கட்டமைப்பு ரீதியாக மிகவும் சிக்கலான 6H-SiC கட்டத்திற்கு கீழே உள்ளது மற்றும் கோட்பாட்டளவில் கணிக்கப்பட்ட மதிப்பை விட குறைவாக உள்ளது. உண்மையில், 3C-SiC படிகங்களில் உள்ளவை தீவிர அதிர்வு ஃபோனான் சிதறலை ஏற்படுத்துகின்றன, இது அதன் வெப்ப கடத்துத்திறனைக் கணிசமாகக் குறைக்கிறது. உயர் தூய்மை மற்றும் உயர் படிக தரம் 3C-SiC படிகங்களிலிருந்து அதிக வெப்ப கடத்துத்திறன்.

குறிப்பிடத்தக்க வகையில், Si அடி மூலக்கூறுகளில் வளர்க்கப்படும் 3C-SiC மெல்லிய படலங்கள், விமானம் மற்றும் கிராஸ்-பிளேன் வெப்பத்தை அதிக அளவில் வெளிப்படுத்துகின்றன.கடத்துத்திறன், சமமான தடிமன் கொண்ட வைர மெல்லிய படலங்களைக் கூட மிஞ்சும். இந்த ஆய்வு 3C-SiC ஐ அங்குல அளவிலான படிகங்களில் இரண்டாவது மிக உயர்ந்த வெப்ப கடத்துத்திறன் பொருளாக தரவரிசைப்படுத்துகிறது, இது ஒற்றை-படிக வைரத்திற்கு அடுத்தபடியாக உள்ளது, இது அனைத்து இயற்கை பொருட்களிலும் அதிக வெப்ப கடத்துத்திறனைக் கொண்டுள்ளது.

செலவு-செயல்திறன், பிற பொருட்களுடன் எளிதாக ஒருங்கிணைப்பது மற்றும் பெரிய செதில் அளவுகளை வளர்ப்பதற்கான திறன் ஆகியவை 3C-SiC ஐ மிகவும் பொருத்தமான வெப்ப மேலாண்மைப் பொருளாகவும், அளவிடக்கூடிய உற்பத்திக்கான உயர் வெப்ப கடத்துத்திறன் கொண்ட விதிவிலக்கான மின்னணுப் பொருளாகவும் ஆக்குகின்றன. 3C-SiC இன் வெப்ப, மின் மற்றும் கட்டமைப்பு பண்புகளின் தனித்துவமான கலவையானது, அடுத்த தலைமுறை மின்னணுவியலில் புரட்சியை ஏற்படுத்தும் ஆற்றலைக் கொண்டுள்ளது, இது செயலில் உள்ள கூறுகள் அல்லது வெப்ப மேலாண்மைப் பொருட்களாகச் செயல்பட்டு, சாதனத்தின் குளிர்ச்சியை எளிதாக்குகிறது மற்றும் மின் நுகர்வைக் குறைக்கிறது. 3C-SiC இன் உயர் வெப்ப கடத்துத்திறனிலிருந்து பயனடையக்கூடிய பயன்பாடுகளில் பவர் எலக்ட்ரானிக்ஸ், ரேடியோ-அதிர்வெண் மின்னணுவியல் மற்றும் ஆப்டோ எலக்ட்ரானிக்ஸ் ஆகியவை அடங்கும்.

செமிகோரெக்ஸ் உற்பத்தியைத் தொடங்கியுள்ளது என்பதை மகிழ்ச்சியுடன் தெரிவித்துக் கொள்கிறோம்4-இன்ச் 3C-SiC செதில்கள். உங்களிடம் ஏதேனும் கேள்விகள் இருந்தால் அல்லது கூடுதல் தகவல் தேவைப்பட்டால், தயவுசெய்து எங்களை தொடர்பு கொள்ளவும்.

தொடர்பு தொலைபேசி #+86-13567891907

மின்னஞ்சல்:sales@semicorex.com