அலுமினிய நைட்ரைடு அடி மூலக்கூறுகள்

செமிகோரெக்ஸ் அலுமினிய நைட்ரைடு அடி மூலக்கூறுகளின் வரையறைகள் சிலிக்கான் அடிப்படையிலான அலுமினிய நைட்ரைடு வார்ப்புருக்களை சுட்டிக்காட்டுகின்றன. 5 ஜி சகாப்தம் வெளிவருகையில், உயர் அதிர்வெண் பயன்பாடுகள் வேகமாக வேகத்தை பெறுகின்றன. 5 ஜி நெட்வொர்க்குகளின் விரிவாக்கம் மற்றும் மேம்பாடு அதிக இயக்க அதிர்வெண்களுடன் மேலும் மேலும் அதிர்வெண் பட்டைகள் கோரிக்கைகளைத் தள்ளுகிறது. அலை அதன் ஒரு பகுதியின் விகிதத்தில் RF வடிப்பான்களின் அளவு மற்றும் தரம் இரண்டிலும் தேவைகளை உயர்த்தியுள்ளது. உயர் செயல்திறன் கொண்ட RF வடிகட்டி உற்பத்தித் துறையை இயக்குவது உயர் தரத்தை நிரூபித்த பைசோ எலக்ட்ரிக் அடி மூலக்கூறு பொருட்களுக்கு இன்றியமையாத தேவையாகும்.

அல்ட்ரா-வைட் பேண்ட்காப் செமிகண்டக்டர் அலுமினிய நைட்ரைடு அடி மூலக்கூறுகள் பல சிறந்த பண்புகள் காரணமாக, எலக்ட்ரானிக்ஸ் மற்றும் ஆப்டோ எலக்ட்ரானிக்ஸில் மேம்பட்ட பயன்பாட்டிற்கான சாத்தியமான பொருளாக, மகத்தான பயன்பாட்டு திறனின் ஒரு பொருளாகும். 6.2 ஈ.வி வரை பேண்ட்கேப் உயர் புலம் முறிவு, உயர் செறிவு எலக்ட்ரான் சறுக்கல் வேகம், வேதியியல் மற்றும் வெப்ப நிலைத்தன்மை ஆகியவற்றிற்கான வலிமை தேவையை நிரூபிக்கிறது. அத்துடன் உயர்ந்த வெப்ப கடத்துத்திறன் மற்றும் கதிர்வீச்சு எதிர்ப்பு. இந்த பண்புகள் உயர் செயல்திறன் கொண்ட மின்னணு சாதனங்களில், குறிப்பாக 5 ஜி தகவல்தொடர்பு தொழில்நுட்பங்களில் ALN ஐ ஒரு தவிர்க்க முடியாத பொருளாக ஆக்குகின்றன.

துத்தநாகம் ஆக்சைடு (ZnO), லீட் சிர்கோனேட் டைட்டனேட் (PZT), மற்றும் லித்தியம் டான்டலேட்/லித்தியம் நியோபேட் (LT/LN) போன்ற பாரம்பரிய பைசோ எலக்ட்ரிக் பொருட்களுடன் ஒப்பிடும்போது, ​​அலுமினிய நைட்ரைடு அடி மூலக்கூறுகள் 5G RF வடிப்பான்களுக்கு மிகவும் பொருத்தமானதாக இருக்கும் விதிவிலக்கான பண்புகளை வெளிப்படுத்துகின்றன. இந்த பண்புகளில் அதிக மின் எதிர்ப்பு, சிறந்த வெப்ப கடத்துத்திறன், உயர்ந்த நிலைத்தன்மை மற்றும் அதி வேகமான ஒலி அலை பரப்புதல் வேகம் ஆகியவை அடங்கும். குறிப்பாக, ALN இன் நீளமான அலை வேகம் சுமார் 11,000 மீ/வி, அதே நேரத்தில் குறுக்குவெட்டு அலை வேகம் 6,000 மீ/வி. இந்த குணாதிசயங்கள் ALN ஐ உயர் செயல்திறன் கொண்ட மேற்பரப்பு ஒலி அலை (SAW), மொத்த ஒலி அலை (BAW) மற்றும் திரைப்பட மொத்த ஒலி ரெசனேட்டர் (FBAR) RF வடிப்பான்களுக்கான மிகச் சிறந்த பைசோ எலக்ட்ரிக் பொருட்களில் ஒன்றாகும்.

அலுமினிய நைட்ரைடு அடி மூலக்கூறுகள் முதன்மையாக 5 ஜி ஆர்எஃப் முன்-இறுதி வடிப்பான்களில் பைசோ எலக்ட்ரிக் பொருள் சந்தைக்காக வடிவமைக்கப்பட்டுள்ளன. இந்த தயாரிப்பின் தரம் மற்றும் முக்கிய அளவுருக்கள் அதிகாரப்பூர்வ மூன்றாம் தரப்பு நிறுவனங்கள் மற்றும் செதில்-நிலை செயலாக்க மதிப்பீடுகளால் கடுமையாக சோதிக்கப்பட்டு சரிபார்க்கப்பட்டுள்ளன. இந்த மதிப்பீடுகள் தயாரிப்பு சர்வதேச தரங்களை சந்தித்து மீறுகின்றன என்பதை உறுதிப்படுத்தியுள்ளன. மேலும், பெரிய அளவிலான உற்பத்திக்கு தேவையான தொழில்நுட்பம் ஏற்கனவே நிறுவப்பட்டுள்ளது, இது நிலையான வெகுஜன உற்பத்தி மற்றும் சந்தை கோரிக்கைகளை பூர்த்தி செய்வதற்கான விநியோகத்தை உறுதி செய்கிறது.

5 ஜி நெட்வொர்க்குகளின் வரிசைப்படுத்தல் அதிகரித்து வரும் அதிர்வெண் பட்டைகள் கையாள மிகவும் திறமையான மற்றும் நம்பகமான RF வடிப்பான்களைப் பயன்படுத்த வேண்டும். RF முன்-இறுதி தொகுதிகளில் அத்தியாவசிய கூறுகளாக இருக்கும் SAW, BAW மற்றும் FBAR வடிப்பான்களை உருவாக்குவதில் ALN அடி மூலக்கூறுகள் முக்கிய பங்கு வகிக்கின்றன. இந்த வடிப்பான்கள் துல்லியமான அதிர்வெண் தேர்வு, சமிக்ஞை பெருக்கம் மற்றும் குறுக்கீடு குறைப்பு ஆகியவற்றை செயல்படுத்துகின்றன, ஸ்மார்ட்போன்கள், அடிப்படை நிலையங்கள் மற்றும் ஐஓடி பயன்பாடுகள் போன்ற 5 ஜி தகவல்தொடர்பு சாதனங்களில் மென்மையான மற்றும் அதிவேக தரவு பரிமாற்றத்தை உறுதி செய்கின்றன.

மேலும், அலுமினிய நைட்ரைடு அடி மூலக்கூறுகள் RF வடிப்பான்களுக்கு மட்டும் மட்டுப்படுத்தப்படவில்லை. பவர் எலக்ட்ரானிக்ஸ், உயர் அதிர்வெண் டிரான்சிஸ்டர்கள், ஆப்டோ எலக்ட்ரானிக் சாதனங்கள் மற்றும் செயற்கைக்கோள் தகவல்தொடர்புகள் ஆகியவற்றிலும் அவர்கள் நம்பிக்கைக்குரிய பயன்பாடுகளைக் கொண்டுள்ளனர். அதிக மின்னழுத்தங்களைத் தாங்கி, தீவிர நிலைமைகளில் செயல்படுவதற்கான அவர்களின் திறன் அடுத்த தலைமுறை மின்னணு கூறுகளுக்கு கவர்ச்சிகரமான தேர்வாக அமைகிறது.